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Samsung Electronics ha anunciado el desarrollo del primer chip de memoria multinivel NAND flash de 64 gigabits (Gb), destinado a la fabricación de memorias de alta densidad, utilizando tecnología de 30 nanometros (nm).

Hasta 16 chips de 64 Gb pueden combinarse para crear tarjetas de memoria de 128 gigabytes (GB) de capacidad, que podrían almacenar hasta 80 películas con calidad DVD o 32.000 canciones en formato MP3. El nuevo chip se ha fabricado utilizando un nuevo proceso denominado tecnología de doble patrón autoalineado (Self-aligned Double Patterning Technology o SaDPT en inglés), en el cual se superponen dos capas de circuitos de forma que la segunda ocupa parte del espacio libre dejado por la primera.

La memoria NAND flash de 64Gb marca el octavo año consecutivo en que la densidad de los chips de memoria se ha duplicado, y el séptimo en que la escala nanométrica continúa mejorando desde la aparición en 2001 de los chips de 1Gb y 1nm.

Se espera que Samsung comience la comercialización de las memorias NAND flash de 64 Gb en 2009.